Transistor canal N SPD28N03L, 28A, 30A, 100uA, 100uA, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Transistor canal N SPD28N03L, 28A, 30A, 100uA, 100uA, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.91fr
5-49
0.75fr
50-99
0.64fr
100+
0.56fr
Quantité en stock: 344

Transistor canal N SPD28N03L, 28A, 30A, 100uA, 100uA, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 30A. Idss: 100uA. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.023 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 790pF. C (out): 390pF. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Id(imp): 112A. Marquage sur le boîtier: 28N03L. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 12 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: SIPMOS Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 32 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1.6V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 05:54

Documentation technique (PDF)
SPD28N03L
27 paramètres
Id (T=100°C)
28A
Id (T=25°C)
30A
Idss
100uA
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
0.023 Ohms
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
790pF
C (out)
390pF
Dissipation de puissance maxi
75W
Fonction
transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique
Id(imp)
112A
Marquage sur le boîtier
28N03L
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
Td(off)
12 ns
Td(on)
13 ns
Technologie
SIPMOS Power Transistor
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
32 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
1.6V
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies