Transistor canal N SPD09N05, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V

Transistor canal N SPD09N05, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.94fr
5-49
0.78fr
50-99
0.66fr
100+
0.59fr
Quantité en stock: 455

Transistor canal N SPD09N05, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V. Id (T=100°C): 6.5A. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.093 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 215pF. C (out): 75pF. Dissipation de puissance maxi: 24W. Fonction: Mode d'amélioration dv/dt. Id(imp): 37A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: SPD09N05. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2.1V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 05:54

Documentation technique (PDF)
SPD09N05
27 paramètres
Id (T=100°C)
6.5A
Id (T=25°C)
9.2A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
0.093 Ohms
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Tension Vds(max)
55V
C (in)
215pF
C (out)
75pF
Dissipation de puissance maxi
24W
Fonction
Mode d'amélioration dv/dt
Id(imp)
37A
Idss (min)
0.1uA
Marquage sur le boîtier
SPD09N05
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
Td(off)
30 ns
Td(on)
15 ns
Technologie
SIPMOS Power-Transistor
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
50 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2.1V
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies