Transistor canal N SPB80N04S2-H4, 80A, 1uA, 3.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 3.4M Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 4480pF. C (out): 1580pF. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: 'Enhancement mode'. Id(imp): 320A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 2N04H4. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 46 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 195 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2.1V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 07:30