Transistor canal N MMBF170LT1G, SOT-23, TO-236AB, 60V
Quantité
Prix unitaire
1-99
0.22fr
100-999
0.17fr
1000-2999
0.11fr
3000+
0.0941fr
| Quantité en stock: 8074 |
Transistor canal N MMBF170LT1G, SOT-23, TO-236AB, 60V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 6Z. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 12/11/2025, 21:45
MMBF170LT1G
17 paramètres
Boîtier
SOT-23
Boîtier (norme JEDEC)
TO-236AB
Tension drain-source Uds [V]
60V
Capacité de grille Ciss [pF]
60pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
0.5A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
5 Ohms @ 0.2A
Dissipation maximale Ptot [W]
0.225W
Délai de coupure tf[nsec.]
10 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
6Z
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
10 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
3V
Produit d'origine constructeur
Onsemi