Transistor canal N IRLR2905, D-PAK ( TO-252 ), 30A, 42A, 250uA, 0.027 Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Transistor canal N IRLR2905, D-PAK ( TO-252 ), 30A, 42A, 250uA, 0.027 Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.97fr
5-49
0.82fr
50-99
0.72fr
100-199
0.64fr
200+
0.53fr
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Quantité en stock: 505

Transistor canal N IRLR2905, D-PAK ( TO-252 ), 30A, 42A, 250uA, 0.027 Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.027 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 1700pF. C (out): 400pF. Charge: 32nC. Conditionnement: rouleau. Courant de drain: 42A. Dissipation de puissance maxi: 110W. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Id(imp): 160A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 110W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1.8K/W. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2000. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 12/11/2025, 19:38

Documentation technique (PDF)
IRLR2905
41 paramètres
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Id (T=100°C)
30A
Id (T=25°C)
42A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.027 Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Tension Vds(max)
55V
C (in)
1700pF
C (out)
400pF
Charge
32nC
Conditionnement
rouleau
Courant de drain
42A
Dissipation de puissance maxi
110W
Fonction
résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide
Id(imp)
160A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Polarité
unipolaire
Propriétés des éléments semi-conducteurs
Niveau logique
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Puissance
110W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance thermique du boîtier
1.8K/W
Spec info
Commande de porte par niveau logique
Td(off)
26 ns
Td(on)
11 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension drain - source
55V
Tension grille-source
16V, ±16V
Tension grille/source Vgs
16V
Trr Diode (Min.)
80 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
2000
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier