Transistor canal N IRLR2705, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Transistor canal N IRLR2705, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.83fr
5-24
0.68fr
25-49
0.60fr
50-99
0.54fr
100+
0.46fr
Quantité en stock: 15

Transistor canal N IRLR2705, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 28A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 880pF. C (out): 220pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 68W. Fonction: commande par niveau logique, commutation rapide. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: faible résistance R-on 0.040 Ohms. Td(off): 21 ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 76 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 75. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 12/11/2025, 19:38

Documentation technique (PDF)
IRLR2705
33 paramètres
Id (T=100°C)
20A
Id (T=25°C)
28A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.04 Ohms
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Tension Vds(max)
55V
C (in)
880pF
C (out)
220pF
Conditionnement
tube en plastique
Dissipation de puissance maxi
68W
Fonction
commande par niveau logique, commutation rapide
Id(imp)
110A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
faible résistance R-on 0.040 Ohms
Td(off)
21 ns
Td(on)
8.9 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
16V
Trr Diode (Min.)
76 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
75
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier