Transistor canal N IRLR024NTRPBF, TO252AA, DPAK
Quantité
Prix unitaire
1-4
1.08fr
5-9
0.68fr
10-19
0.56fr
20-49
0.49fr
50+
0.45fr
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Transistor canal N IRLR024NTRPBF, TO252AA, DPAK. Boîtier: TO252AA, DPAK. Charge: 10nC. Courant de drain: 17A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Puissance: 38W. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 3.3K/W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Produit d'origine constructeur: Infineon (irf). Quantité en stock actualisée le 12/11/2025, 22:18
IRLR024NTRPBF
14 paramètres
Boîtier
TO252AA, DPAK
Charge
10nC
Courant de drain
17A
Montage/installation
SMD
Polarité
unipolaire
Propriétés des éléments semi-conducteurs
Niveau logique
Puissance
38W
RoHS
oui
Résistance thermique du boîtier
3.3K/W
Technologie
HEXFET®
Tension drain - source
55V
Tension grille-source
16V, ±16V
Type de transistor
N-MOSFET, HEXFET, logic level
Produit d'origine constructeur
Infineon (irf)