Transistor canal N IRLL110TRPBF, SOT-223, 100V
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Transistor canal N IRLL110TRPBF, SOT-223, 100V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 250pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 16 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.3 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 12/11/2025, 21:24
IRLL110TRPBF
15 paramètres
Boîtier
SOT-223
Tension drain-source Uds [V]
100V
Capacité de grille Ciss [pF]
250pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
1.5A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.54 Ohms @ 0.9A
Dissipation maximale Ptot [W]
3.1W
Délai de coupure tf[nsec.]
16 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
9.3 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
2V
Produit d'origine constructeur
Vishay (ir)