Transistor canal N IRFZ34N, TO-220, 20A, 29A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 29A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 700pF. C (out): 240pF. Charge: 22.7nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 26A. Dissipation de puissance maxi: 68W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 100A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 56W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 2.7K/W. Td(off): 31 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 57 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 21:11