Transistor canal N IRFP250, TO247, TO247AC
Quantité
Prix unitaire
1-4
2.53fr
5-9
1.59fr
10-19
1.45fr
20-49
1.37fr
50+
1.31fr
| Quantité en stock: 10 |
Transistor canal N IRFP250, TO247, TO247AC. Boîtier: TO247, TO247AC. Charge: 82nC, 123nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 30A. Montage/installation: THT. Polarité: unipolaire. Puissance: 214W. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 700mK/W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 200V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET. Produit d'origine constructeur: Infineon (irf). Quantité en stock actualisée le 02/01/2026, 01:54
IRFP250
14 paramètres
Boîtier
TO247, TO247AC
Charge
82nC, 123nC
Conditionnement
tubus
Courant de drain
30A
Montage/installation
THT
Polarité
unipolaire
Puissance
214W
RoHS
oui
Résistance thermique du boîtier
700mK/W
Technologie
HEXFET®
Tension drain - source
200V
Tension grille-source
20V, ±20V
Type de transistor
N-MOSFET, HEXFET
Produit d'origine constructeur
Infineon (irf)