Transistor canal N IRFP054N, 57A, 81A, 250uA, 0.012 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V

Transistor canal N IRFP054N, 57A, 81A, 250uA, 0.012 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.60fr
5-24
2.27fr
25-49
2.00fr
50-99
1.78fr
100+
1.48fr
Equivalence disponible
Quantité en stock: 108

Transistor canal N IRFP054N, 57A, 81A, 250uA, 0.012 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 81A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.012 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 55V. C (in): 2900pF. C (out): 880pF. Dissipation de puissance maxi: 170W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 290A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 81 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 02:51

Documentation technique (PDF)
IRFP054N
29 paramètres
Id (T=100°C)
57A
Id (T=25°C)
81A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.012 Ohms
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247AC
Tension Vds(max)
55V
C (in)
2900pF
C (out)
880pF
Dissipation de puissance maxi
170W
Fonction
commutation rapide
Id(imp)
290A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
40 ns
Td(on)
11 ns
Technologie
HEXFET® Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
81 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier

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