Transistor canal N IRF3710Z, TO220, TO220AB
Quantité
Prix unitaire
1-9
2.77fr
10-49
1.73fr
50-99
1.63fr
100-199
1.59fr
200+
1.56fr
| Quantité en stock: 20 |
Transistor canal N IRF3710Z, TO220, TO220AB. Boîtier: TO220, TO220AB. Charge: 82nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 59A. Montage/installation: THT. Polarité: unipolaire. Puissance: 160W. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 920mK/W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET. Produit d'origine constructeur: Infineon (irf). Quantité en stock actualisée le 01/01/2026, 22:06
IRF3710Z
14 paramètres
Boîtier
TO220, TO220AB
Charge
82nC
Conditionnement
tubus
Courant de drain
59A
Montage/installation
THT
Polarité
unipolaire
Puissance
160W
RoHS
oui
Résistance thermique du boîtier
920mK/W
Technologie
HEXFET®
Tension drain - source
100V
Tension grille-source
20V, ±20V
Type de transistor
N-MOSFET, HEXFET
Produit d'origine constructeur
Infineon (irf)