Transistor canal N IRF3205ZPBF, TO-220AB, 55V, 0.0049 Ohm
Quantité
Prix unitaire
1-4
2.28fr
5-9
1.42fr
10-19
1.29fr
20-49
1.22fr
50+
1.16fr
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Transistor canal N IRF3205ZPBF, TO-220AB, 55V, 0.0049 Ohm. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 55V. Résistance passante Rds On: 0.0049 Ohm. : 'enhanced'. Charge: 110nC. Courant de drain maxi: 75A. Courant de drain: 75A. Montage/installation: THT. Polarité: unipolaire. Puissance: 170W. RoHS: oui. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: ±20V. Type de canal: N. Type de conditionnement: tubus. Type de transistor: N-MOSFET. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 12/11/2025, 23:15
IRF3205ZPBF
18 paramètres
Boîtier
TO-220AB
Tension drain - source (Vds)
55V
Résistance passante Rds On
0.0049 Ohm
'enhanced'
Charge
110nC
Courant de drain maxi
75A
Courant de drain
75A
Montage/installation
THT
Polarité
unipolaire
Puissance
170W
RoHS
oui
Technologie
HEXFET®
Tension drain - source
55V
Tension grille-source
±20V
Type de canal
N
Type de conditionnement
tubus
Type de transistor
N-MOSFET
Produit d'origine constructeur
International Rectifier