Transistor canal N FDC6561AN, SSOT-6, SuperSOT-6
Quantité
Prix unitaire
1-4
1.40fr
5-9
0.87fr
10-19
0.75fr
20-49
0.69fr
50+
0.64fr
| Quantité en stock: 25 |
Transistor canal N FDC6561AN, SSOT-6, SuperSOT-6. Boîtier: SSOT-6, SuperSOT-6. : 'enhanced'. Charge: 3.2nC. Courant de drain: 2.5A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Puissance: 0.96W. RoHS: oui. Technologie: PowerTrench®. Tension drain - source: 30V. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: N-MOSFET x2. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 12/11/2025, 22:22
FDC6561AN
13 paramètres
Boîtier
SSOT-6, SuperSOT-6
'enhanced'
Charge
3.2nC
Courant de drain
2.5A
Montage/installation
SMD
Polarité
unipolaire
Puissance
0.96W
RoHS
oui
Technologie
PowerTrench®
Tension drain - source
30V
Tension grille-source
±20V
Type de transistor
N-MOSFET x2
Produit d'origine constructeur
Onsemi