Transistor canal N BUZ73LH, TO-220AB, 200V

Transistor canal N BUZ73LH, TO-220AB, 200V

Quantité
Prix unitaire
1-49
1.35fr
50+
1.10fr
Quantité en stock: 409

Transistor canal N BUZ73LH, TO-220AB, 200V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 840pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BUZ73LH. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 16:38

Documentation technique (PDF)
BUZ73LH
16 paramètres
Boîtier
TO-220AB
Tension drain-source Uds [V]
200V
Capacité de grille Ciss [pF]
840pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
7A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.4 Ohms @ 3.5A
Dissipation maximale Ptot [W]
40W
Délai de coupure tf[nsec.]
130 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
BUZ73LH
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
20 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
2V
Produit d'origine constructeur
Infineon