Transistor canal N BSS123, SOT-23 ( TO-236 ), 100V, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 100V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Vdss (tension drain à source): 100V. Id (T=25°C): 150mA. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3.5 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 23pF. C (out): 6pF. Courant de drain: 170mA. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Equivalences: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Fonction: sérigraphie/code CMS SA. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 150mA. Id(imp): 600mA. Idss (min): 10uA. Information: -. MSL: 1. Marquage du fabricant: BSS123-7-F. Marquage sur le boîtier: SA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Particularités: -. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 360mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 6 Ohms. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohms / 120mA / 10V. Série: -. Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension d'entraînement: -. Tension drain - source: 100V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.8V. Tension grille/source Vgs (Max): ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 11 ns. Type de canal: N. Type de montage: SMD. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Nxp Semiconductors. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 13:31