Transistor canal N BSS123, SOT-23 ( TO-236 ), 100V, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 100V

Description technique du produit (BSS123):

Vdss (tension drain à source): 100V. Tension Vds(max): 100V. Idss (maxi): 100uA. Id (T=25°C): 150mA. Résistance passante Rds On: 3.5 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). RoHS: oui. Polarité: unipolaire. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: sérigraphie/code CMS SA. Technologie: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Equivalences: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohms / 120mA / 10V. Protection G-S: non. Td(off): 12 ns. Idss (min): 10uA. Puissance: 360mW. Td(on): 3 ns. Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA. Quantité par boîtier: 1. Marquage du fabricant: BSS123-7-F. Id(imp): 600mA. Résistance dans l'état passant: 6 Ohms. Marquage sur le boîtier: SA. Vgs(th) min.: 1V. Courant de drain: 170mA. Type de montage: SMD. C (in): 23pF. MSL: 1. Qg (charge totale de la porte, Max @ Vgs): 1.8nC @ 10V. C (out): 6pF. Trr Diode (Min.): 11 ns. Tension grille/source Vgs (Max): ±20V. Tension drain - source: 100V. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Protection drain-source: oui. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.8V. Tension grille/source Vgs: 20V. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 150mA