Diode SS14, DO-214, DO-214AC, 1A, 1A, 30A, SMA DO214AC ( 4.5x2.79mm ), 40V

Diode SS14, DO-214, DO-214AC, 1A, 1A, 30A, SMA DO214AC ( 4.5x2.79mm ), 40V

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Diode SS14, DO-214, DO-214AC, 1A, 1A, 30A, SMA DO214AC ( 4.5x2.79mm ), 40V. Boîtier: DO-214. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AC. IF(AV): 1A. If [A]: 1A. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.5x2.79mm ). VRRM: 40V. Cj: 100pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant d'impulsion max.: 30A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.2mA..10mA. Courant: 1A. Famille de composants: Diode de redressement Schottky au silicium. Fonction: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. IRM (max): 20mA. IRM (min): 1mA. Ifsm [A]: 40A. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Température maxi: +125°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Tension de seuil Vf (max): 0.6V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. Tension inverse maxi: 40V. Type de diode: diode de redressement Schottky. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.5V @ 1A. Produit d'origine constructeur: Microsemi. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 13:37

Documentation technique (PDF)
SS14
35 paramètres
Boîtier
DO-214
Boîtier (norme JEDEC)
DO-214AC
IF(AV)
1A
If [A]
1A
IFSM
30A
Boîtier (selon fiche technique)
SMA DO214AC ( 4.5x2.79mm )
VRRM
40V
Cj
100pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant d'impulsion max.
30A
Courant de fuite à la fermeture Ir [A]
0.2mA..10mA
Courant
1A
Famille de composants
Diode de redressement Schottky au silicium
Fonction
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
IRM (max)
20mA
IRM (min)
1mA
Ifsm [A]
40A
Matériau semi-conducteur
Sb
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de bornes
2
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Structure diélectrique
Anode-cathode
Structure semi-conductrice
diode
Température de fonctionnement
-55...+125°C
Température maxi
+125°C.
Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]
40V
Tension de seuil Vf (max)
0.6V
Tension de seuil Vf (min)
0.55V
Tension inverse maxi
40V
Type de diode
diode de redressement Schottky
[V]
0.5V @ 1A
Produit d'origine constructeur
Microsemi
Quantité minimum
10