Diode S1M, DO-214, DO-214AC, 1000V, 1A, 1A, 1A, 30A, SMA DO214AC

Diode S1M, DO-214, DO-214AC, 1000V, 1A, 1A, 1A, 30A, SMA DO214AC

Quantité
Prix unitaire
10-49
0.0379fr
50-99
0.0315fr
100-199
0.0284fr
200+
0.0238fr
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Diode S1M, DO-214, DO-214AC, 1000V, 1A, 1A, 1A, 30A, SMA DO214AC. Boîtier: DO-214. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AC. VRRM: 1000V. Courant redressé moyen par diode: 1A. IF(AV): 1A. If [A]: 1A. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC. Cj: 12pF. Configuration des diodes: indépendant. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant d'impulsion max.: 30A. Courant de fuite inverse: <50uA / 1000V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..50uA. Courant de fuite: 5uA. Courant: 6A. Famille de composants: Diode de redressement montée en surface (CMS). Fonction: diodes de redressement à usage général. Ifsm [A]: 32A. Information: -. MSL: -. Marquage sur le boîtier: 1M. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: boîtier 4.6x2.7mm. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Série: S1. Temps de réaction: 1.5us. Temps de récupération inverse (max): 1500ns. Température de fonctionnement: -55...+155°C. Température maxi: +150°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 1.1V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Tension de seuil maxi: <1.1V / 1A. Tension inverse maxi: 1kV. Trr Diode (Min.): 1.8us. Type de diode: diode de redressement. Type de montage: SMD. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.1V @ 1A. Produit d'origine constructeur: Taiwan Semiconductor. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 12/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
S1M
47 paramètres
Boîtier
DO-214
Boîtier (norme JEDEC)
DO-214AC
VRRM
1000V
Courant redressé moyen par diode
1A
IF(AV)
1A
If [A]
1A
IFSM
30A
Boîtier (selon fiche technique)
SMA DO214AC
Cj
12pF
Configuration des diodes
indépendant
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant d'impulsion max.
30A
Courant de fuite inverse
<50uA / 1000V
Courant de fuite à la fermeture Ir [A]
5uA..50uA
Courant de fuite
5uA
Courant
6A
Famille de composants
Diode de redressement montée en surface (CMS)
Fonction
diodes de redressement à usage général
Ifsm [A]
32A
Marquage sur le boîtier
1M
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de bornes
2
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
Remarque
boîtier 4.6x2.7mm
RoHS
oui
Spec info
IFSM--30Ap t=10mS
Structure diélectrique
Anode-cathode
Structure semi-conductrice
diode
Série
S1
Temps de réaction
1.5us
Temps de récupération inverse (max)
1500ns
Température de fonctionnement
-55...+155°C
Température maxi
+150°C.
Tension de conduction (tension de seuil)
1.1V
Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]
1 kV
Tension de seuil Vf (max)
1.1V
Tension de seuil Vf (min)
1.1V
Tension de seuil maxi
<1.1V / 1A
Tension inverse maxi
1kV
Trr Diode (Min.)
1.8us
Type de diode
diode de redressement
Type de montage
SMD
[V]
1.1V @ 1A
Produit d'origine constructeur
Taiwan Semiconductor
Quantité minimum
10

Produits équivalents et/ou accessoires pour S1M