Diode BAV99, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 215mA, 500A, 0.12A, 0.215A, SOT-23 ( TO236 ), 70V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. IF(AV): 215mA. IFSM: 500A. Courant redressé moyen par diode: 0.12A. If [A]: 0.215A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 70V. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant d'impulsion max.: 2A. Courant de fuite inverse: 30nA / 25V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 30nA..50uA. Courant: 0.3A. Famille de composants: double diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Ifsm [A]: 2A. Information: -. Marquage sur le boîtier: A7w. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra rapide. Puissance: 350mW. Quantité par boîtier: 2. Remarque: double diode au silicium. RoHS: oui. Spec info: IFSM--t=1.0us 2A, t=1.0ms 1A. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Structure semi-conductrice: 2 diodes montées en série. Série: BAV. Temps de réaction: 4ns. Temps de récupération inverse (max): 4ns. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension de conduction (tension de seuil): 1.25V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 85V. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 750mV. Tension de seuil maxi: <1.0V / 0.05A. Tension inverse maxi: 85V. Trr Diode (Min.): 6us. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de diode: diode de commutation. Type de montage: SMD. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 0.855V @ 10mA. Produit d'origine constructeur: Nexperia. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:15