Diode BAV21, DO-35 ( SOD27 ), 250V, 0.25A, 0.25A, 0.25A, 1A, DO-35

Diode BAV21, DO-35 ( SOD27 ), 250V, 0.25A, 0.25A, 0.25A, 1A, DO-35

Quantité
Prix unitaire
10-49
0.0261fr
50-99
0.0221fr
100-249
0.0194fr
250+
0.0163fr
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Minimum: 10

Diode BAV21, DO-35 ( SOD27 ), 250V, 0.25A, 0.25A, 0.25A, 1A, DO-35. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (norme JEDEC): -. VRRM: 250V. Courant redressé moyen par diode: 0.25A. IF(AV): 0.25A. If [A]: 0.25A. IFSM: 1A. Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Capacité: 1.5pF. Cj: 5pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration des diodes: indépendant. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 1A. Courant de fuite inverse: 100nA / 200V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 100nA..15uA. Courant: 200mA, 625mA. Famille de composants: Diode au silicium à petit signal. Fonction: Diodes à usage général. Ifsm [A]: 1A. Information: -. MSL: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Série: BAV. Temps de réaction: 50ns. Temps de récupération inverse (max): 50ns. Température maxi: +200°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 1V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 200V. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Tension de seuil maxi: <1.0V / 0.1A. Tension de seuil: 1V, 1.1V. Tension inverse maxi: 250V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de commutation. Type de montage: THT. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 50 ns. [V]: 1V @ 100mA. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:15

Documentation technique (PDF)
BAV21
48 paramètres
Boîtier
DO-35 ( SOD27 )
VRRM
250V
Courant redressé moyen par diode
0.25A
IF(AV)
0.25A
If [A]
0.25A
IFSM
1A
Boîtier (selon fiche technique)
DO-35
Capacité
1.5pF
Cj
5pF
Conditionnement
Ammo Pack
Configuration des diodes
indépendant
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant d'impulsion max.
1A
Courant de fuite inverse
100nA / 200V
Courant de fuite à la fermeture Ir [A]
100nA..15uA
Courant
200mA, 625mA
Famille de composants
Diode au silicium à petit signal
Fonction
Diodes à usage général
Ifsm [A]
1A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
2
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
Remarque
IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C
RoHS
oui
Structure diélectrique
Anode-cathode
Structure semi-conductrice
diode
Série
BAV
Temps de réaction
50ns
Temps de récupération inverse (max)
50ns
Température maxi
+200°C.
Tension de conduction (tension de seuil)
1V
Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]
200V
Tension de seuil Vf (max)
1.25V
Tension de seuil Vf (min)
1V
Tension de seuil maxi
<1.0V / 0.1A
Tension de seuil
1V, 1.1V
Tension inverse maxi
250V
Trr Diode (Min.)
50 ns
Type d'élément semi-conducteur
diode
Type de conditionnement
Ammo Pack
Type de diode
diode de commutation
Type de montage
THT
Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]
50 ns
[V]
1V @ 100mA
Produit d'origine constructeur
Vishay
Quantité minimum
10