Diode BAV199, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 0.16A, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO236 ), 85V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. If [A]: 0.16A. IF(AV): 200mA. IFSM: 500mA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 85V. Cj: 2pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5nA...80nA. Date de production: 2014/49. Famille de composants: double diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Fonction: double diode à faible fuite. IRM (max): 80nA. IRM (min): 5nA. Ifsm [A]: 2A. Marquage sur le boîtier: JYs. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--4.5A (tp=1us), 0.5A (tp=1s). Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 85V. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V. Trr Diode (Min.): 0.6us. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 3us. [V]: 1V @ 10mA. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:15