Diode BAS85-GS08, 12.7k Ohms, 30 v, 0.2A, 0.2A, 0.2A, 0.6A, SOD-80C. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (norme JEDEC): -. VRRM: 30 v. Courant redressé moyen par diode: 0.2A. IF(AV): 0.2A. If [A]: 0.2A. IFSM: 0.6A. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80C. Cj: 10pF. Configuration des diodes: indépendant. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite inverse: 2uA / 25V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.2uA..2uA. Dissipation de puissance maxi: 200mW. Famille de composants: diode Schottky pour petits signaux, montage CMS. Fonction: Diodes à barrière Schottky à commutation rapide en verre. IRM (max): 2uA. IRM (min): 0.2uA. Ifsm [A]: 0.6A. Information: -. MSL: -. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM 0.6A t=1s. Structure diélectrique: Anode-cathode. Série: BAS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Tension de seuil Vf (max): 0.8V. Tension de seuil Vf (min): 0.24V. Tension de seuil maxi: <0.80V / 0.1A. Trr Diode (Min.): 5 ns. Type de diode: Schottky. Type de montage: SMD. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 5 ns. [V]: 0.4V @ 10mA. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 18:01