Diode BAS21, 200mA, 625mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 250V

Diode BAS21, 200mA, 625mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 250V

Quantité
Prix unitaire
10-49
0.0315fr
50-99
0.0279fr
100-499
0.0245fr
500+
0.0178fr
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Quantité en stock: 1957
Minimum: 10

Diode BAS21, 200mA, 625mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 250V. IF(AV): 200mA. IFSM: 625mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 250V. Cj: 5pF. Fonction: Diode de commutation haute tension. IRM (max): 100uA. IRM (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: JS. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS JS. RoHS: oui. Spec info: IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Produit d'origine constructeur: Nxp Semiconductors. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 18:01

Documentation technique (PDF)
BAS21
24 paramètres
IF(AV)
200mA
IFSM
625mA
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23 ( TO236 )
VRRM
250V
Cj
5pF
Fonction
Diode de commutation haute tension
IRM (max)
100uA
IRM (min)
0.1uA
Marquage sur le boîtier
JS
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
Remarque
sérigraphie/code CMS JS
RoHS
oui
Spec info
IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A
Structure diélectrique
Anode-cathode
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension de seuil Vf (max)
1.25V
Tension de seuil Vf (min)
1V
Trr Diode (Min.)
50 ns
Produit d'origine constructeur
Nxp Semiconductors
Quantité minimum
10