Diode 1N4448, DO-35 ( SOD27 ), 0.15A, 0.45A, 0.3A, DO-35, 100V. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). IF(AV): 0.15A. Boîtier (norme JEDEC): -. IFSM: 0.45A. If [A]: 0.3A. Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..5uA. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Famille de composants: Diode au silicium à petit signal. IRM (max): 5uA. IRM (min): 25nA. Ifsm [A]: 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--2A, Pluse width = 1uS. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Tension de seuil Vf (max): 1V. Trr Diode (Min.): 4 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 0.7V @ 5mA. Produit d'origine constructeur: Taiwan Semiconductor. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 14/12/2025, 01:04