Circuit intégré mémoire AT45DB041E-SHN-B
Quantité
Prix unitaire
1-4
4.72fr
5-9
3.69fr
10-19
3.52fr
20-49
3.40fr
50+
3.28fr
| Quantité en stock: 5 |
Circuit intégré mémoire AT45DB041E-SHN-B. Boîtier: SO8-W. Capacité mémoire: 4Mb. Fréquence d'horloge: 85MHz. Montage/installation: SMD. Série: 'DataFlash'. Tension de fonctionnement: 1.65...3.6V. Type d'interface: interface série. Type de circuit intégré: mémoire 'FLASH'. Type de conditionnement: tubus. Produit d'origine constructeur: Adesto. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 02:16
AT45DB041E-SHN-B
10 paramètres
Boîtier
SO8-W
Capacité mémoire
4Mb
Fréquence d'horloge
85MHz
Montage/installation
SMD
Série
'DataFlash'
Tension de fonctionnement
1.65...3.6V
Type d'interface
interface série
Type de circuit intégré
mémoire 'FLASH'
Type de conditionnement
tubus
Produit d'origine constructeur
Adesto